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雪崩光电二极管
★★★★★【文章导读】：雪崩光电二极管具体内容是：碰撞电离过程一般光电二极管的反偏压在几十伏以下，而apd的反偏压一般在几百伏量级，接近于反向击穿电压。当apd在高反偏压下工作，势垒区中的电场很强，电子和空穴在势垒区中作漂移运动时得到很大的动能。它们与势垒…
来源： 日期：2013-10-30 21:37:59 人气：标签：
碰撞电离过程
一般光电二极管的反偏压在几十伏以下，而apd的反偏压一般在几百伏量级，接近于反向击穿电压。 当apd在高反偏压下工作，势垒区中的电场很强，电子和空穴在势垒区中作漂移运动时得到很大的动能。
它们与势垒区中的晶格原子碰撞产生电离，激发产生的二次电子与空穴在电场下得到加速又碰撞产生新的电子－空穴对，如此继续，形成雪崩倍增效应?。
特点：
�。�1）提高了光电二极管的灵敏度（具有内部增益102～104）。
�。�2）响应速度特别快，频带带宽可达100ghz，是目前响应速度 快的一种光电二极管。
常见结构：
雪崩光电二极管结构
图（a）在p型硅基片上扩散杂质浓度大的n+层，制成p型n结构；图（b）在n型硅基片上扩散杂质浓度大的p+层，制成n型p结构；图（c）所示为pin型雪崩光电二极管。
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