碰撞電離過程

　　一般光電二極管的反偏壓在幾十伏以下，而apd的反偏壓一般在幾百伏量級，接近于反向擊穿電壓。 當apd在高反偏壓下工作，勢壘區(qū)中的電場很強，電子和空穴在勢壘區(qū)中作漂移運動時得到很大的動能。

　　它們與勢壘區(qū)中的晶格原子碰撞產(chǎn)生電離，激發(fā)產(chǎn)生的二次電子與空穴在電場下得到加速又碰撞產(chǎn)生新的電子－空穴對，如此繼續(xù)，形成雪崩倍增效應?。

　　特點：

　　（1）提高了光電二極管的靈敏度（具有內(nèi)部增益102～104）。

　　（2）響應速度特別快，頻帶帶寬可達100ghz，是目前響應速度 快的一種光電二極管。

　　常見結構：

　　雪崩光電二極管結構

　　圖（a）在p型硅基片上擴散雜質(zhì)濃度大的n+層，制成p型n結構；圖（b）在n型硅基片上擴散雜質(zhì)濃度大的p+層，制成n型p結構；圖（c）所示為pin型雪崩光電二極管。