从图中可以看出，实际上他仅仅是一个将下玻璃基板换成了制作tft和ic电路的单晶硅基片的液晶显示器件。
　　
　　为什麽要采用这种结构呢？
　　
　　我们知道，普通的tft有源液晶显示器件一般是在玻璃基板上生成一层非晶硅膜层，再制作tft有源矩阵的。非晶硅的电子迁移率低，因此所制成的tft器件的面积大。对于一个固定面积的像素来说，他占用的面积比例就大，即，开口率就低，从而使通过像素的光就少。下图所示是开口率的示意图。

　　
　　从图中可见，一个像素被tft器件和边缘占去了不少，如果再加上前后偏光片和滤色片等各种因素，一般tft的液晶显示器件的透过率不过10%左右。这就不得不在应用时要配上较大功率的背光源。因此，大大削弱了液晶显示器件微功耗的优势。
　　
　　后来，人们将非晶硅的tft器件改为多晶硅tft、器件。由于多晶硅的电子迁移率比非晶硅的电子迁移率高一个数量级，所以，可以将tft器件的面积缩小很多，从而使开口率大大提高。但是，透光率的提高还是不够，光的利用率还是不高。
　　
　　人们开始想到了单晶硅，单晶硅的电子迁移率比多晶硅又高了一个数量级，因此，单晶硅的tft器件面积可以作的更小，开口率可以做到95%以上。但是，单晶硅不能在玻璃上生成，于是人们干脆将tft器件直接作到单晶硅硅片上。单晶硅硅片是不透明的，所以，人们索性将液晶显示器件作成反射式的显示器件。反射式的器件没有透过式器件的光吸收，所以光的利用率更高。人们为了进一步提高光的利用率，又在tft矩阵像素的表面蒸镀了一层反射镜面，使光的利用率达到 大。

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