(1)全桥驱动电路采用四只n沟道场效应管
　　
　　全桥驱动电路采用四只n沟道场效应管的结构形式如下图所示。

　　电路工作时，在驱动控制ic的控制下，使vl、v4同时导通，v2、v3同时导通，且vl、v4导通时，v2、v3截止，也就是说，vl、v4与v2、v3是交替导通的，使变压器一次侧形成交流电压，改变开关脉冲的占空比，就可以改变vl、v4和v2、v3导通与截止时间，从而改变变压器的储能，也就改变了输出的电压值。

　　需要注意的是，如果vl、v4与v2、v3的导通时间不对称，则变压器一次侧的交流电压中将含有直流分量，会在变压器二次侧产生很大的直流分量，造成磁路饱和。因此全桥电路应注意避免直流电压分量的产生，也可以在一次回路串联一个电容，以阻断直流电流。

　　(2)全桥驱动电路采用两只n沟道和两只p沟道场效应管
　　
　　全桥驱动电路采用两只n沟道和两只p沟道场效应管的结构形式如下图所示。

　　电路工作时，在驱动控制ic的控制下，使v4、vl同时导通，v2、v3同时导通，且v4、vl导通时，v2、v3截止，也就是说，v4、vl与v2、v3是交替导通的，使变压器一次侧形成交流电压。

　　在“pwm控制芯片+全桥结构驱动龟路”构成方案中，pwm控制芯片常采用oz960、oz970、oz9910、bit3105、bit3106、mps1010b、mp1oz6、mp1oz9、mp1038、bd9883、bd9884等。

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