(1)過(guò)電壓保護(hù)電路
　　
　　加到mosfet上的浪涌電壓有開(kāi)關(guān)與其他mosfet等部件產(chǎn)生的浪涌電壓：
　　
　　有mosfet自身關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓：
　　
　　有mosfet內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)特性產(chǎn)生的浪涌電壓等。這些過(guò)電壓會(huì)損壞元器件，因此要降低這些電壓的影響。
　　
　　過(guò)電壓保護(hù)基本電路如下圖所示。
　　
　　其中下圖(a)所示電路是用rc吸收浪涌電壓的方式，下圖(b)所示電路是再接一只二極管vd抑制浪涌電壓，為防止浪涌電壓的振蕩，vd要采用高頻開(kāi)關(guān)二極管。下圖(c)所示電路是用穩(wěn)壓二極管鉗位浪涌電壓的方式，而下圖(d)、下圖(e)所示電路是mosfet上如果加的浪涌電壓超過(guò)規(guī)定值，就使mosfet導(dǎo)通的方式。下圖(f)和下圖(g)所示電路在逆變器電路中使用，在正負(fù)母線間接電容而吸引浪涌電壓。特別是下圖(g)所示電路能吸收高于電源電壓的浪涌電壓，吸收電路的損耗小。下圖(h)所示電路是對(duì)于在感性負(fù)載（l）上并聯(lián)二極管vd，能消除來(lái)自負(fù)載的浪涌電壓。下圖(1)所示電路是柵極串聯(lián)電阻rc，使柵極反向電壓vcg選為 佳值，延遲關(guān)斷時(shí)間而抑制浪涌電壓的發(fā)生。

　　
　　(2)過(guò)電流保護(hù)電路
　　
　　mosfet的過(guò)電流有兩種情況，即負(fù)載短路與負(fù)載過(guò)大時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電流。過(guò)電流保護(hù)的基本電路如下圖所示，由電流互感器(ct)檢測(cè)過(guò)電流，從而切斷mosfet的柵極信號(hào)。也可用電阻或霍爾元件替代ct。