//DS1820 C51 子程序
//这里以11.0592M晶体为例，不同的晶体速度可能需要调整延时的时间
//sbit DQ =P2^1;//根据实际情况定义端口

typedef unsigned char byte;
typedef unsigned int word;

//延时
void delay(word useconds)
{
for(;useconds>0;useconds--);
}

//复位
byte ow_reset(void)
{
byte presence;
DQ = 0;              //pull DQ line low
delay(29);          // leave it low for 480us
DQ = 1;              // allow line to return high
delay(3);            // wait for presence
presence = DQ; // get presence signal
delay(25);          // wait for end of timeslot
return(presence);            // presence signal returned
}                                    // 0=presence, 1 = no part

//从 1-wire 总线上读取一个字节
byte read_byte(void)
{
byte i;
byte value = 0;
for (i=8;i>0;i--)
{
value>>=1;
DQ = 0;                // pull DQ low to start timeslot
DQ = 1;                // then return high
delay(1);              //for (i=0; i<3; i++);
if(DQ)value|=0x80;
delay(6);              // wait for rest of timeslot
}
return(value);
}

//向 1-WIRE 总线上写一个字节
void write_byte(char val)
{
byte i;
for (i=8; i>0; i--)          // writes byte, one bit at a time
{
DQ = 0;                      // pull DQ low to start timeslot
DQ = val&0x01;
delay(5);                    // hold value for remainder of timeslot
DQ = 1;
val=val/2;
}
delay(5);
}

//读取温度
char Read_Temperature(void)
{
union{
byte c[2];
int x;
}temp;

ow_reset();
write_byte(0xCC);          // Skip ROM
write_byte(0xBE);          // Read Scratch Pad
temp.c[1]=read_byte();
temp.c[0]=read_byte();
ow_reset();
write_byte(0xCC);          //Skip ROM
write_byte(0x44);            // Start Conversion
return temp.x/2;
}

    DS18B20C汇编程序:

    本汇编程序仅适合单个DS18B20和51单片机的连接,晶振为12MHz左右
DQ:DS18B20的数据总线接脚
FLAG1:标志位,为"1"时表示检测到DS18B20
TEMPER_NUM:保存读出的温度数据
TEMPER_LEQU36H
TEMPER_HEQU35H

    DQBITP1.7

    ; DS18B20初始化汇编程序
;//*****************************************//
INIT_1820:
SETBDQ
NOP
CLRDQ
MOVR0,#06BH
TSR1:
DJNZR0,TSR1; 延时
SETBDQ
MOVR0,#25H
TSR2:
JNBDQ,TSR3
DJNZR0,TSR2
LJMPTSR4; 延时
TSR3:
SETBFLAG1; 置标志位,表示DS1820存在
LJMPTSR5
TSR4:
CLRFLAG1; 清标志位,表示DS1820不存在
LJMPTSR7
TSR5:
MOVR0,#06BH
TSR6:
DJNZR0,TSR6; 延时
TSR7:
SETBDQ
RET
;//*****************************************//

    ; 重新写DS18B20暂存存储器设定值
;//*****************************************//
RE_CONFIG:
JBFLAG1,RE_CONFIG1; 若DS18B20存在,转RE_CONFIG1
RET
RE_CONFIG1:
MOVA,#0CCH; 发SKIP ROM命令
LCALLWRITE_1820
MOVA,#4EH; 发写暂存存储器命令
LCALLWRITE_1820
MOVA,#00H; TH(报警上限)中写入00H

• 1
• 2
• 3
• 下一页

相关文章

• 上一篇： 串行通信设计须知
• 下一篇： 单片机C语言简谱程序