硬盤技術(shù)的更新?lián)Q代，其中一個(gè)非常重要的技術(shù)就是磁頭技術(shù)，現(xiàn)在的硬盤單碟容量一般都在40GB以上， 高的單碟容量已經(jīng)達(dá)到了80GB或更高，以后硬盤的單碟容量還將繼續(xù)增大，對(duì)于單碟容量，它直接聯(lián)系的技術(shù)就是磁頭技術(shù)，磁頭技術(shù)越先進(jìn)，硬盤的單碟容量就可以做得更高。 早的磁頭是采用鐵磁性物質(zhì)，它在不論磁頭的感應(yīng)敏感程度或精密度上都不理想，因此早期的硬盤單碟容量均非常低，單碟低了，硬盤的總?cè)萘烤褪艿椒浅４蟮南拗疲驗(yàn)樵谝粔K硬盤內(nèi)封裝的盤片數(shù)是非常有限的。同時(shí)早期使用的磁頭在體積上也小，它使得早期的硬盤體積上相對(duì)而言比較龐大，這給用戶的使用帶來(lái)了非常的不便。

    80年代末期，IBM研發(fā)了MR(Magneto－Resistive Head)磁阻磁頭技術(shù)，磁阻磁頭是基于磁致電阻效應(yīng)工作的，核心是一片金屬材料，其電阻隨磁場(chǎng)的變化而變化。磁阻元件連著一個(gè)十分敏感的放大器，可以測(cè)出微小的電阻變化。之后IBM公司又開發(fā)了 GMR（GaintMagneto Resistive，巨磁阻）磁頭技術(shù)，它是在MR技術(shù)的基礎(chǔ)上研發(fā)成功的新一代磁頭技術(shù)，現(xiàn)在生產(chǎn)的硬盤全都應(yīng)用了GMR磁頭技術(shù)。GMR巨磁阻磁頭與MR磁頭一樣，是利用特殊材料的電阻值隨磁場(chǎng)變化的原理來(lái)讀取盤片上的數(shù)據(jù)，但是GMR磁頭使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu)，比MR磁頭更為敏感，相同的磁場(chǎng)變化能引起更大的電阻值變化，實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度，MR磁頭能夠達(dá)到的盤片密度為每平方英寸3Gb－5Gb（千兆位每平方英寸），而GMR磁頭每平方英寸可以達(dá)到10Gb－40Gb以上。GMR比MR具有更高的信號(hào)變化靈敏度，從而使硬盤的單碟容量可以做得更高， 新的磁頭技術(shù)為第四代GMR磁頭技術(shù)。

    了解臺(tái)機(jī)硬盤的朋友都知道，硬盤磁頭里有一個(gè)Park，硬盤不工作的時(shí)候磁頭就會(huì)停在Park 這里“休息”，但由于筆記本硬盤密度太小，就連轉(zhuǎn)軸中心附近也寫進(jìn)了數(shù)據(jù)，所以它就要在盤片的附近安裝一個(gè)裝置，用來(lái)防置磁頭。知道這些我們就可以解釋為什么筆記本硬盤在讀盤的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生”咯嗒、咯嗒“的聲音，其實(shí)是它在”靠岸“。但這種設(shè)計(jì)也帶來(lái)了一些好處，在硬盤不工作的時(shí)候，由于磁頭遠(yuǎn)離盤片，所以磁頭就不會(huì)出現(xiàn)由于震動(dòng)而劃傷盤片的現(xiàn)象。