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大功率MOS-FET的使用
★★★★★【文章导读】：大功率MOS-FET的使用具体内容是：(l)存放和使用MOS=FET管由于输入阻抗很高，使得栅极感应的电荷不易泄放，由此容易产生较高的感应电压，造成栅极的绝缘层被击穿而损坏．所以在使用和保存上述器件时应特别注意，应存放在防静电的包装袋内，或在各极短…
来源： 日期：2013-11-5 23:27:42 人气：标签：
(l)存放和使用
MOS=FET管由于输入阻抗很高，使得栅极感应的电荷不易泄放，由此容易产生较高的感应电压，造成栅极的绝缘层被击穿而损坏．所以在使用和保存上述器件时应特别注意，应存放在防静电的包装袋内，或在各极短路的情况下保存。在取用和安装过程中，需要用手去拿器件时，必须带上手套和静电泄放腕带，把人体上积聚的静电放掉，以免静电损坏管子。
安装新管子或是更换时，应先把器件安装在散热片上，将源极与地良好接触．然后用防静电烙铁或者拔掉电烙铁的电源插头眉焊接，每次焊接时间 好不超过5秒，以保证安装的新管子不被损坏。还有一点应注意，MOS-FET管子内部都含有氧化铍陶瓷，由于这种材料的散热效果特别好而被采用。但氧化玻本身是一种剧毒物质，使用者应特别注意，切勿用手直接触摸，更换下的坏管子也不可随意丢弃，应妥善地保管和处理，以防发生人身意外。
(2)MOS-FET的简单测量法
正向导通测量：MF500型万用表，RxlOk挡，红表笔接源极S，黑极笔接在栅极G上，此时栅源间的电阻很大，表头指示不动，栅、源间的输入电容被正向充电。栅极为正电压，漏源应该导通，这时红表笔不动，将黑表笔接在漏极D上，表头指示为OΩ，说明漏源导通。
反向夹断测量：黑表笔接源极S上，红表笔接栅极G上，由于电阻很大表头指示不动，栅源间输入电容被反向充电，栅极为负电压，漏源被截止。这时将红表笔接源极S上．将黑表笔接漏极D上，表头指示不动电阻很大，说明管子被夹断。
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