每个放大器的射频输入电平典型值为20W~25W．TL1、C1、C2使输入阻抗匹配在50Ω．并通过模块微调使相移保证为一标称值，以使所有的模块同相合成。然后，射频信号送到一个9:1的同轴变压器T1上，其分离相位为O和180的两个输出以驱动一对推挽射频MOS-FET放大器（Ql和Q2），Ql和Q2的偏压和Tl的次级中心抽头连接，它被旁路到地。
　　
　　在电压驻波比很高或需要关闭射频的情况下．VG的输入控制电压用于关断MOS-FET，MOS-FET的栅极偏压是由来自于PA控制器板的VG（栅极电压）来设定的。如果VG为-18V．则放大器将被关断．如果VG为ov．则放大器为全开。IPA的驱动能力决定了放大器的输出功率。
　　
　　对于IPA．VG来自于支持板且受主控制器板的APC环控制，输入到IPA的激励器驱动是固定的，IPA的输出将控制PA和发射机的输出功率。IPA的输出是由改变加到IPA的栅极电压(VG)来控制的，通过使用发射机前面板上的RAISE（提高）和LOWER（降低）控制键来提高和降低APC参考电压。
　　
　　MOS-FET的输出在一个1:4的变压器中合成．C19、C20将PA输出端的50Ω负载阻抗与T2的输出阻抗精确匹配。直流电源由Cll、C12、C13、C14、C16、C24、Ll和L2进行去耦合滤波，然后通过T2的初级中心抽头加到MOS-FET上并通过同轴电缆输出射频．无须隔直流电容。射频 大输出为425W,典型输出为300W~340W。

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