FET漏一源极的沟道电流，随半导体结温的升高，当VGS不变时沟道电流会减小。
　　
　　如UHCMOSFETIRF7663，当环境温度为25℃，VGS=-4.5V时，lDS=0.2A。温度升高为70℃时，则降低为6.6A。FET沟道电流的负温度系数特性使FET不会发生热击穿。
　　
　　但并不能笼统地说FET的负温度系数特性使其无二次击穿的可能性，因为FET漏源极之间还存在半导体本体材料的反向漏电流（即不属于场致沟道电流的漏源极间漏电流），其温度特性和金属、半导体完全相同，为正温度系数特性。例如FETIRF7663，当VDS=-16V，VGS=OV，在25℃时lDSS=-1μA，当温度升高为70℃时，外加电压不变，lDSS升高为-25μA。可见漏电流的正温度系数使IDSS增大25倍之多。
　　
　　芯片温度升高时漏一源极漏电流增大，同样会引起漏源极间本体半导体材料的热击穿。
　　
　　由此可见，在FET的漏一源极间的电流IDS由两部分组成，即受VGS控制的沟道电流和只受VDS反向电压控制的漏电流。
　　
　　沟道电流为负温度系数，漏电流正由于材料本体的分子的热骚动，而有正温度系数。
　　
　　而芯片电流的整体温度特性则需取决于其工作状态下，两种电流的分布特性。对不同管型需按其工作特点严密分析、测试。
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