FET漏一源極的溝道電流，隨半導體結溫的升高，當VGS不變時溝道電流會減小。
　　
　　如UHCMOSFETIRF7663，當環(huán)境溫度為25℃，VGS=-4.5V時，lDS=0.2A。溫度升高為70℃時，則降低為6.6A。FET溝道電流的負溫度系數特性使FET不會發(fā)生熱擊穿。
　　
　　但并不能籠統(tǒng)地說FET的負溫度系數特性使其無二次擊穿的可能性，因為FET漏源極之間還存在半導體本體材料的反向漏電流（即不屬于場致溝道電流的漏源極間漏電流），其溫度特性和金屬、半導體完全相同，為正溫度系數特性。例如FETIRF7663，當VDS=-16V，VGS=OV，在25℃時lDSS=-1μA，當溫度升高為70℃時，外加電壓不變，lDSS升高為-25μA。可見漏電流的正溫度系數使IDSS增大25倍之多。
　　
　　芯片溫度升高時漏一源極漏電流增大，同樣會引起漏源極間本體半導體材料的熱擊穿。
　　
　　由此可見，在FET的漏一源極間的電流IDS由兩部分組成，即受VGS控制的溝道電流和只受VDS反向電壓控制的漏電流。
　　
　　溝道電流為負溫度系數，漏電流正由于材料本體的分子的熱騷動，而有正溫度系數。
　　
　　而芯片電流的整體溫度特性則需取決于其工作狀態(tài)下，兩種電流的分布特性。對不同管型需按其工作特點嚴密分析、測試。
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