本文通過案例和實驗，概述IGBT及其子器件的四種失效模式：

    （1）      MOS柵擊穿；

    （2）      IGBT——MOS閾值電壓漂移；

    （3）      IGBT壽命期內有限次連續短路脈沖沖擊的累積損傷；

    （4）      靜電放電保護用高壓npn管的硅熔融。

    2、  MOS柵擊穿

    IGBT器件的剖面和等效電路見圖1。

    由圖1可見，IGBT是由一個MOS和一個nPNP四層結構集成的器件。而MOS是金屬—氧化物—半導體場效應管的簡稱。其中，氧化物通常是硅襯底上氧化而生成的SIO2，有時還迭加其他的氧化物層，例如Si3N4，Al2O3。通常設計這層SiO2的厚度ts：

    微電子系統：ts<1000A電力電子系統：ts≥1000A。

    SiO2，介質的擊穿電壓是1×1019V/m。那么，MOS柵極的擊穿電壓是100V左右。

    人體產生的靜電強度U：

    濕度：10-20%，U＞18000V；60-90%時，U≥1500V。

    上述數據表明，不附加靜電保護的MOS管和MOS集成電路（IC），只要帶靜電的人體接觸它，MOS的絕緣柵就一定被擊穿。

    案例：上世紀六十年代后期，某研究所研制的MOS管和MOS集成電路。不管是安裝在印刷電路板上還是存放在盒中的此種器件，都出現莫名其妙的失效。因此，給MOS一個綽號：摸死管。

    如果這種“摸死”問題不解決，我國第一臺具有自主知識產權的MOS集成電路微型計算機就不可能在1969年誕生。經過一段時間的困惑，開始懷疑靜電放電的作用。為了驗證，準備了10支柵極無任何防護的MOS管，用晶體管特性測試儀重新測試合格后，即時將該器件再往自己身上摩擦一下再測特性，結果發現：柵擊穿！隨后，在MOS管的柵極一源極之間反并聯一個二極管，問題就基本解決。意外的結果：“摸死管”成了一句引以為戒的警語。該研究所內接觸和應用MOS管MOS-IC的同事，對靜電放電對器件的破壞性影響都有了深刻的體驗。

    3、  IGBT——MOS閾值電壓漂移——一種可能隱藏的失效模式

    MOS管的閾值電壓Vth的方程式：

    （1）

    式中VSS=表面態閾值電壓，Vhh =本征閾值電壓，

    常數

    (費米勢)，N=硅襯底雜質濃度。

    圖2是柵電壓VG和柵電容CO的C—V曲線，曲線上的箭頭表時掃描方向。

    由圖2可見。C—V曲線是一條遲滯回路，該回路包絡的面積等于表面態電荷，QSS是由Si—SiO2界面缺陷和正電荷離子引起的。而且，Si—SiO2界面的QSS始終是正的。即VSS總是向VITH正向移動。這就決定了溝增強型MOS管和P溝數字集成電路容易實現。

    為了減小QSS和防止SiO2——Si界面電荷交換與移動，引起閾值電壓漂移，采取了許多措施：

    （1）      將<111>硅襯底換為<100>硅襯底，減小硅表面的非飽和鍵；

    （2）      制備工藝中使用的石英器皿，氣體和化學試劑均提升純度級別，盡量減小Na離子的污染含量；

    （3）      研發新的絕緣柵介質系列：

    ·Si3N4——Si，Si3N4——SiO2——Si；

    ·Al2O3——Si，Al2O3——SiO2——Si。

    以上措施，對低壓微功耗的微電子的應用，已證明MOS與MOSIC是可靠的。但是對于電力電子應用的場合：高電壓，大電流和工作溫度范圍較寬。特別是，靜電放電電壓接近柵極擊穿電壓而又未穿柵極時，例如上文所示接近100V時，仍有隱憂：

    （1）      較高柵電壓下，閾值電壓漂移較大，圖3示出P溝硅柵MOS在高柵電壓下的。由圖3可見，柵電壓VG=40V時，=4V。

    （2）      PT—IGBT在高溫柵偏壓下閾值電壓漂移。圖4給出PT—IGBT（IRG4BC20F）在（1）柵已射極Gge=20V，Vce=OV（HTGB）和（2）Vge=0V，Vce=0.8V(HTRB)在140℃，經過1200小時的應力試驗結果。由圖4中的HTGB曲線可見，柵偏置試驗開始后100小時內，時線性增加，隨后趨于穩定。

    （3）      電可擦只讀存貯器（eleCTRically erasable read-only memory，簡稱EEROM）的存貯單元是氮化硅（Si3N4）—二氧化硅(SiO2)構成的雙層絕緣柵的MOS管，它利用柵極注入電荷來改變ROM存貯單元的狀態。

    （4）      MOS是一種單極，多數載流子器件，按半導體器件理論，它的抗輻射，主要是抗γ射線的能力應該比雙極、少數載流子器件強，但是，實際情況剛相反。這說明MOS的絕緣柵結構在輻射場下有較大的損傷和電荷交換。

    （5）      以上4種情況說明，MOS閾值電壓漂移在電力電子的應用條件，即高電壓（接近柵擊穿電壓）、大電流和高溫（接近pn結臨界溫度150℃）時，是一種導致器件和電路失效的潛在參數，似乎仍需系統考察和修訂老化條件。所以，將稱作是一種可能隱藏的失效模式。

    4、  IGBT壽命期限內，有限次數短路脈沖沖擊的累積損傷失效

    在壽命期限內，IGBT會遇到在短路、雪崩等惡劣條件下工作，它能承受短路脈沖沖擊的次數是有限的，并和相關條件有關。

    4.1非穿通型（NPT）IGBT的魯棒性

    NPT—IGBT的魯棒性見圖5，被測器件是SGW15N120。在540V 125℃時測試。X軸是耗散的能量。Y軸是器件直至損壞的短路周期次數。

    由圖5可見，在給定條件下，器件有一個臨界能量：

    EC=V·I·TSC=1.95J（焦耳）

    式中，TSC是短路持續時間

    當E>EC時，，第一次短路就使器件失效。

    當E<EC時，大約要經歷104次短路以上，器件會因周期性的能量累積退化使它失效。

    當E=EC時，器件失效模式不明確。當能量等于或稍等于EC時，器件關斷后，器件的拖尾電流，經過一段延遲時間td f ，將導致熱擊穿。這段延緩性失效時間為微秒級。

    圖6給出不同短路續時間TSC，IGBT測量的短路電流波形。

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