***產晶體管型號命名的第三部分用字母A"D來表示晶體管的材料和類型(不代表極性)。其中，“A”、“B”為PNP型管，“C”、“D”為NPN型管。通常，“A”、“C”為高頻管，“B”、“D”為低頻管。

    歐洲產晶體管型號命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶體管的材料(不表示NPN或PNP型極性)。其中，“A”表示鍺材料，“B”表示硅材料。

    2.從封裝外形上識別晶體管的引腳 在使用權晶體管之前，首先要識別晶體管各引腳的極性。

    不同種類、不同型號、不同功能的晶體管，其引腳排列位置也不同。通過閱讀上述“晶體管的封裝外形”中的內容，可以快速識別也常用晶體管各引腳的極性。

    3.用萬用表判別晶體管的極性與材料 對于型號標志不清或雖有型號但無法識別其引腳的晶體管，可以通過萬用表測試來判斷出該晶體管的極性、引腳及材料。

    對于一般小功率晶體管，可以用萬用表R×100Ω檔或R×1k檔，用兩表筆測量晶體管任意兩個引腳間的正、反向電阻值。

    在測量中會發現：當黑表筆(或紅表筆)接晶體管的某一引腳時，用紅表筆(或黑表筆)去分別接觸另外兩個引腳，萬用表上指示均為低阻值。此時，所測晶體管與黑表筆(或紅表筆)連接的引腳便是基極B，而別外兩個引腳為集電極C和發射極E。若基極接的是紅表筆，則該管為PNP管;若基極接的是黑表筆，則該管國 NPN管。

    也可以先假定晶體管的任一個引腳為基極，與紅表筆或黑表筆接觸，再用另一表筆去分別接觸另外兩個引腳，若測出兩個均較小的電阻值時，則固定不動的表筆所接的引腳便是基極B，而另外兩個引腳為發射極E和集電極C。

    找到基極B后，再比較基極B與另外兩個引腳之間正向電阻值的大小。通常，正向電阻值較大的電極為發射極E，正向電阻值較小的為集電極C。

    PNP型晶體管，可以將紅表筆接基極B，用黑表筆分別接觸另外兩個引腳，會測出兩個略有差異的電阻值。在阻值較小的一次測量中，黑表筆所接的引腳為集電極C;在阻值較大的一次測量中，黑表筆所接的引腳為發射極E。

    NPN型晶體管，可將黑表筆接基極B。用紅表筆去分別接觸另外兩個引腳。在阻值較小的一次測量中，紅表筆所接的引腳為集電極C;在阻值較大一次測量中，紅表筆所接的引腳為發射極E。

    通過測量晶體管PN結的正、反向電阻值，還可判斷出晶體管的材料(區分出是硅管還是鍺管)及好壞。一般鍺管PN結(B、E極之間或B、C極之間)的正向電阻值為200"500Ω，反向電阻值大于100kΩ;硅管PN結的正向電阻值為3"15kΩ，反向電阻值大于500kΩ。若測得晶體管某個PN結的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該管已擊穿或開路損壞。

    (二)晶體管性能的檢測

    1.反向擊穿電流的檢測

    普通晶體管的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流)，可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆，發射極E接紅表筆;PNP管的集電極C接紅表筆，發射極E接黑表筆。

    正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω(用R×100檔測，電阻值大于2kΩ)，鍺大功率晶體管的電阻值為1.5kΩ(用 R×10檔測)以上。硅材料晶體管的電阻值應大于100kΩ(用R×10k檔測)，實測值一般為500kΩ以上。

    若測得晶體管C、E極之間的電阻值偏小，則說明該晶體管的漏電流較大;若測得C、E極之間的電阻值接近0，則說明其C、E極間已擊穿損壞。若晶體管C、E極之間的電阻值隨著管殼溫度的增高而變小許多，則說明該管的熱穩定性不良。

    也可以用晶體管直流參數測試表的ICEO檔來測量晶體管的反向擊穿電流。測試時，先將hFE/ICEO選擇開關置于ICEO檔，選擇晶體管的極性，將被測晶體管的三個引腳插個測試孔，然后按下ICEO鍵，從表中讀出反向擊穿電流值即可。

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