数字晶体管的测试与一般小信号晶体管相比有较大的区别，主要测输入截止电压vi(off)(7bton)，输入开启电压vi(on)(8bton)，输出电压vo(on)(9vcesat)，输入截止电流ii(101eb)，输出截止电流io(off)(111ces)，直流电流增益gi(12hfe)，电阻r1(22rl)，电阻r2(23r2)括号内对应表中的相应项。因电阻rl与r2不能直接测试，要测试准确比较困难。
　　
　　下面以dtc114esa举例说明测试方法。由于该管基极与发射极卜并联了一只l0kω电阻，基极上又串联一只l0kω的电阻，如图2所示。数字晶体管e-b结的特性与小信号晶体管e-b结的正反向特性有很大区别，一般晶体管的正向特性曲线如图3所示，从0.7v左右正向电流随正向电压升高迅速上升，方向特性在6v～10v左右开始雪崩击穿，像一只6v～10v的稳压二极管（特性曲线如图4所示）；而数字晶体管串联及并联电阻后，输入特性曲线如图5所示。

　　
　　当所加正向电压小于0.7v时，晶体管可当作截止状态，e、b极两端的电压除以电流，所得的电阻r为rl与r2之和；当所加正向电压大于0.7v时，晶体管可作为导通，此时电阻r2与b-e结正向电阻并联近似，由于并联后的总阻值仍小，因此用b、e极的电压除以电流所得的电阻约等于r1，再把r值减去rl值，就是r2的电阻值。

　　
　　数字晶体管的反向特性与一般小信号晶体管的反向特性差别更大，如图6所示。
　　
　　由于b-e结上并联了一个电阻r2，所以，在b-e结上一加反向电压，就有反向电流（不要一看到小电流就认为是不良品），随着反向电压的增加，反向电流逐渐上升，呈现一典型电阻特性。b、e两极所加电压的差值与电流差值相比，就是电阻r(等于r1+r2)的值。当反向电压加到大于晶体管的b-e结反向击穿电压时，b-e结雪崩击穿，b-e结上并联的电阻r2被短路，但曲线不是垂直向上，因为基极里有串联电阻rl，其倾斜部分直线的斜率（电压差除以电流差）就是电阻rl的值，再用r值减去r,1的值就是电阻r2的值。
　　
　　从理论上分析，用测正向特性的方法来测两个电阻正确性比较差，因为加正向电压时，晶体管的b-e结并不要到0.7v才导通，加到0.5v电压就有一点点正向电流出现；当正向电压加到0.7v时，正向电流迅速上升，但上升曲线也不完全是一条直线，因此所测得的总电阻r及电阻rl均有误差，从图5可看出两条线段均带有一点非线性，而用测反向特性的方法来测电阻，理论上讲准确性高，因为b-e结反向击穿前，e-b结的反向电流基本等于0，相当于完全截止，可以正确测出r，而反向雪崩击穿后电阻r2被短路，完全导通，能够正确测出rl。

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